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具有楔形电阻性尖端的半导体探针及其制造方法

摘要

本发明提供了一种具有楔形电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括:掺杂有第一杂质的电阻性尖端,具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区,并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区;和悬臂,在其边缘上具有所述电阻性尖端,其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。

著录项

  • 公开/公告号CN101159171B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200710092110.5

  • 申请日2007-04-02

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人张波

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01Q 70/10 授权公告日:20130417 终止日期:20170402 申请日:20070402

    专利权的终止

  • 2013-04-17

    授权

    授权

  • 2013-04-17

    授权

    授权

  • 2009-12-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-12-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-04-09

    公开

    公开

  • 2008-04-09

    公开

    公开

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