紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及制备方法

摘要

本发明提出了一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及制备方法。所述外延结构包括自下而上依次设置的衬底、PVD AlN层、第一AlN层、第二AlN层、第三AlN层、n型AlGaN接触层、多量子阱有源层、p型AlGaN阻挡层和p型GaN层，所述第二AlN层和所述第三AlN层的接触面之间形成有微孔结构。本发明所提出的紫外发光二极管外延结构，通过在第二AlN层上生长第三AlN层，形成三维到二维生长模式的转换，模式转换过程中自然形成微孔结构。通过生长模式的转换和微孔结构，可以大幅改善材料的晶体质量和有效释放外延层的张应力，从而制备出高质量的无裂纹AlN层。