一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法

摘要

本发明提供一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法，用于解决现有星载计算机PROM程序区单比特数据错误的问题，降低空间环境单粒子翻转的风险，提高产品的可靠性。包括集成有EDAC纠检错功能的处理器、SRAM数据存储区和PROM程序存储校验区；其中，SRAM数据存储区包括用于存储数据的第一SRAM和用于存储SRAM区EDAC码的第二SRAM，PROM程序存储校验区包括多片用于存储程序的PROM以及用于存储程序区EDAC校验码的PROM；处理器的数据总线接用于存储程序的PROM，处理器的EDAC总线接用于存储程序区EDAC校验码的PROM。