一种对IGBT芯片键合区域微结构演化表征方法

摘要

本发明公开一种对IGBT芯片键合区域微结构演化表征方法，S1、获取样品：对IGBT模块进行预处理获取样品；S2、待刻蚀样品：将样品安装在自动磨抛夹具上，随后打磨样品获取待刻蚀样品；S3、获取刻蚀后待表征样品：确定刻蚀后待表征样品的目标区域。本发明采用聚焦离子束对键合区域进行刻蚀的方法进行制样，从而提高EBSD采集效率以及获得无漂移拉伸的EBSD图像，有效表征了键合区域微结构，同时避免了传统试样制备方法中因环氧树脂无导电性以及减少了器件中裸露的金属部分而导致的拍摄时信号漂移、图像失真等问题。此外，通过设置自动磨抛夹具对样品进行固定，提高磨抛后的样品表面平整度及表面整洁效果。