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公开/公告号CN114348957A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-15
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州电子科技大学;
申请/专利号CN202111661815.0
发明设计人 巢炎;黄伟业;李彬;
申请日2021-12-31
分类号B82B3/00;B82Y40/00;
代理机构浙江千克知识产权代理有限公司;
代理人周雷雷
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
入库时间 2023-06-19 14:59:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-15
公开
发明专利申请公布
机译:纳米压印技术制备硅基有序一维、二维纳米结构 Fabrication of Si-Based 1D,2D Ordered Nano Structure by Nanoimprint Lithography
机译:纳米压印技术制备硅基有序一维、二维纳米结构
机译:硅基径向纳米线阵列的制备及其机理研究
机译:一种特殊的制备纳米粉体的液相沉沉淀法
机译:Control of Light-matter Interactions via Nanostructured Photonic Materials =通过纳米结构光子材料控制光物质相互作用
机译:金属有机纳米粒的制备及其在高强度聚焦超声治疗小鼠肝癌中的增效作用
机译:铬过渡层位置及金属沉积角度对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响