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一种基于单交变电场的时栅角位移传感器

摘要

本发明公开了一种基于单交变电场的时栅角位移传感器,包括定子和与定子同轴安装的转子,转子的基体表面设有感应电极,定子的基体表面设有激励电极,设有感应电极的转子的基体表面与设有激励电极的定子的基体表面正对平行,并留有间隙。激励电极为单激励相,采用单相交流激励信号激励,将多场激励的多极片对极形式变为单极片对极形式,在有限的传感器尺寸范围内成倍数增加了传感器的对极数,增加了整周期测量的对极数,采用在周向错开的圆心角、在径向错开δ距离的4M1个感应极片Ⅰ与4M1个感应极片Ⅱ,在整体上将转子极片的间隔减少至个激励对极空间,能有效提高传感器测量的空间分辨率,提高信噪比。

著录项

  • 公开/公告号CN114353659A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆理工大学;

    申请/专利号CN202210013546.5

  • 发明设计人 高忠华;刘小康;付敏;杨继森;

    申请日2022-01-06

  • 分类号G01B7/30;

  • 代理机构重庆华科专利事务所;

  • 代理人唐锡娇

  • 地址 400054 重庆市巴南区李家沱红光大道69号

  • 入库时间 2023-06-19 14:57:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-15

    公开

    发明专利申请公布

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