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使用FIB制备截面样品的方法和截面样品的观察方法

摘要

本申请涉及一种使用FIB束制备截面样品的方法和截面样品的观察方法。该使用FIB束制备截面样品的方法包括:提供半导体结构,在半导体结构的表面选择目标区域;在目标区域上形成保护层;在目标区域周围选择第一区域,第一区域包括除所述目标区域之外的部分区域或全部区域;沿第一方向减薄第一区域对应的第一半导体结构,使第一半导体结构与目标区域对应的第二半导体结构沿第一方向具有一高度差;减薄目标区域对应的第二半导体结构,使第二半导体结构沿第二方向具有一目标厚度,其中,第二方向垂直于第一方向。该方法可以缩短使用FIB制备截面样品的时间,同时获得完整且方便观察的截面样品,提高对样品观察的准确性。

著录项

  • 公开/公告号CN114354664A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN202210020997.1

  • 发明设计人 姜有东;刘婧;饶少凯;冯路;

    申请日2022-01-10

  • 分类号G01N23/20008;G01N23/04;

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人杜娟;骆希聪

  • 地址 430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

  • 入库时间 2023-06-19 14:57:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-15

    公开

    发明专利申请公布

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