TFT-LCD靶材用纳米级ITO粉末制备工艺

摘要

本发明提供一种TFT‑LCD靶材用纳米级ITO粉末制备工艺，首先将氧化铟粉末和氧化锡粉末进行真空上料，之后依次进行粗磨‑精磨‑纳米级砂磨，最后进行浆料过筛、配胶、造粒得到纳米级ITO粉末，这样在粗磨的基础上再进行了精磨：对粉末浆料进行进一步的剪切，让其颗粒剪切到0.8um，进一步的通过纳米砂磨0.05mm锆珠的高分散能力和超高主机转剪切力的作用下，进一步的砂磨到100nm以下，制得高均匀性，高分散性，纳米级ITO粉末。