一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质

摘要

本申请提供了一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质，该方法包括：采用读电压对TLC NAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果，将读取结果之间进行同或得到初始译码结果，根据初始译码结果得到TLC NAND第一逻辑页的各个分布态分别对应的初始LLR值，根据多次读取结果对初始LLR值进行修正以得到修正LLR值，根据修正LLR值对TLC NAND闪存进行译码。即利用同一物理页中的本逻辑页的数据来修正LLR值，无需利用其他逻辑页的数据来修正LLR值，以完成TLC NAND闪存正确译码，实现上简单，提高了效率和用户使用体验。