一种MPCVD单晶金刚石表面缺陷修复生长方法

摘要

一种MPCVD单晶金刚石表面缺陷修复生长方法，本发明是针对MPCVD单晶金刚石生长过程中表面缺陷难以去除、降低生长层晶体品质的问题。缺陷修复生长方法：一、采用激光加工的方法将单晶金刚石籽晶表面的缺陷区域切除，形成方形凹坑；二、金刚石籽晶放置于管式炉中高温处理；三、采用掩膜的方法，在凹坑内填充生长单晶铱；四、将镀铱的金刚石籽晶转移到生长设备中，点燃等离子体；五、控制生长气压、金刚石籽晶温度和甲烷含量，施加直流偏压，促进异质外延单晶铱表面的高密度形核生长；六、进行MPCVD单晶金刚石的同质外延生长。本发明通过电子束蒸发在缺口区域镀单晶铱，消除原有缺陷的影响，得到高品质的单晶金刚石外延生长层。