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一种抗单粒子烧毁效应整流二极管及其加固制备方法

摘要

本发明提供一种抗单粒子烧毁效应整流二极管及其加固制备方法,旨在提升航天器用高压快恢复整流二极管抗辐照能力,为新一代航天器提供元器件保障。针对高能粒子辐照下高压快恢复整流二极管容易在主结边缘处形成失效点这一现象,本发明提出主结边缘局域载流子寿命控制技术,利用高能氦离子注入在主结边缘处形成局域晶格损伤从而引入额外复合中心,提高主结边缘处载流子的复合效率,从而降低主结边缘处的电流密度和热量累积,实现高压快恢复整流二极管抗辐照能力提升目的。本发明提出的高压快恢复整流二极管抗辐照加固制备方法具有工艺制备流程简单、技术成熟、抗辐照加固效果显著、可同时兼顾器件电学性能等技术优势,具有较高的应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN114242793A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国空间技术研究院;

    申请/专利号CN202111442883.8

  • 申请日2021-11-30

  • 分类号H01L29/861(20060101);H01L21/329(20060101);H01L21/265(20060101);H01L29/167(20060101);

  • 代理机构11009 中国航天科技专利中心;

  • 代理人徐晓艳

  • 地址 100194 北京市海淀区友谊路104号

  • 入库时间 2023-06-19 14:37:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-25

    公开

    发明专利申请公布

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