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一种基于玻璃熔融键合的极小漏率真空漏孔封装方法

摘要

本发明公开了一种基于玻璃熔融键合的极小漏率真空漏孔封装方法,首先采用MEMS紫外光刻工艺以及硅‑硅直接键合技术制作极小漏率真空漏孔元件,对真空漏孔元件以及抛光处理的玻璃管清洗之后,在室温下对准并一起放入高温炉进行热处理,随着温度升高,抛光处理的玻璃管端面率先发生熔融现象,在热处理最高温度下保持一定时间以保证玻璃管端面与真空漏孔元件键合界面产生足够的材料回流,去应力退火消除玻璃管热处理产生的内部应力后冷却至室温,取出键合成品并用聚四氟乙烯前后卡套将其装夹在带卡套的真空刀口法兰上完成真空漏孔的封装,该方法具备极低漏率,可以应用于超高真空以及极小漏率漏孔的封装。

著录项

  • 公开/公告号CN114195092A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥工业大学;

    申请/专利号CN202111515859.2

  • 申请日2021-11-30

  • 分类号B81C3/00(20060101);B81C1/00(20060101);

  • 代理机构34101 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司;

  • 代理人何梅生

  • 地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号

  • 入库时间 2023-06-19 14:34:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-18

    公开

    发明专利申请公布

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