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金粉末和该金粉末的制造方法以及金糊

摘要

本发明涉及包含纯度99.9质量%以上的金且平均粒径为0.01μm以上且1.0μm以下的金粉末。该金粉末的特征在于,氯离子的含量为100ppm以下,并且氰根离子的含量为10ppm以上且1000ppm以下。氯离子的含量与氰根离子的含量的合计优选为110ppm以上且1000ppm以下。本发明的金粉末使作为杂质的氯离子量优化并且对接合等各种加工工艺的适应性优良。另外,应用该金粉末的金糊适合用于半导体芯片的贴片等接合用途、半导体封装体的密封用途、电极/布线形成等各种用途。

著录项

  • 公开/公告号CN114206525A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 田中贵金属工业株式会社;

    申请/专利号CN202080054638.7

  • 发明设计人 小柏俊典;宫入正幸;

    申请日2020-07-20

  • 分类号B22F1/05(20220101);B22F1/107(20220101);B22F7/06(20060101);H01L21/288(20060101);H01L21/768(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人盛曼;金龙河

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 14:32:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-18

    公开

    国际专利申请公布

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