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一种光学邻近效应预处理方法、装置、介质及设备

摘要

本发明属于微电子技术领域,尤其涉及一种光学邻近效应预处理方法及与之相应的装置、介质及设备;通过对电路版图的校正,消除了潜在的断路风险;相关方法、装置等适用于局部版图紧密度高的场景,可避免高的刻蚀率引起的线端退缩,进而保证孔洞包覆率,避免断线等现象的出现。

著录项

  • 公开/公告号CN114167689A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN202111325847.3

  • 发明设计人 陈宪宏;曾鼎程;胡展源;

    申请日2021-11-10

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人王关根

  • 地址 201203 上海市浦东新区良腾路6号

  • 入库时间 2023-06-19 14:28:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-11

    公开

    发明专利申请公布

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