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用于半导体存储器装置的行复制操作的保留行及相关联方法及系统

摘要

本申请涉及用于半导体存储器装置的行复制操作的保留行及相关联方法及系统。此存储器装置可包含具有一组行的存储器阵列,其中所述组中的一或多个行为行复制操作保留且从针对所述存储器阵列的存取命令隐藏(不可寻址)。所述保留行可包含虚设行,所述虚设行经配置以将均匀处理条件提供到所述存储器阵列。另外或替代地,所述保留行可包含缓冲行,所述缓冲行经配置以提供所述存储器阵列中的缓冲区。在一些实施例中,响应于检测到行锤击活动,所述存储器装置可执行所述行复制操作。通过将所述行锤击活动路由到所述保留行,所述行复制操作可减少与所述行锤击活动相关联的风险。

著录项

  • 公开/公告号CN114138175A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN202111030864.4

  • 发明设计人 R·J·鲁尼;

    申请日2021-09-03

  • 分类号G06F3/06(20060101);G11C11/408(20060101);G11C11/4091(20060101);G11C11/4093(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王龙

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2023-06-19 14:23:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-04

    公开

    发明专利申请公布

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