一种提高蓝、绿光半导体激光器电学特性的方法及器件

摘要

本发明公开了一种提高蓝、绿光半导体激光器电学特性的方法及器件。本发明在蓝、绿光半导体激光器的上限制层的上、下表面各设置一层Al组分渐变的p‑AlGaN极化诱导层，通过双层极化诱导p型掺杂的的方式增加空穴注入，减少电子泄漏，提高有源区载流子复合效率，改善蓝、绿光激光器电学特性。本发明采用的处理方法具有工艺稳定、成本低廉、成品率高、设备简单易操作、适合产业化生产等优点。