基于拓扑化学法制备二维层状硅纳米片材料的方法

摘要

本发明公开了基于拓扑化学法制备二维层状硅纳米片材料的方法。本发明采用拓扑化学法，通过锡离子进入硅化钙的结构内部，从而置换出钙离子，之后再通过不同浓度的盐酸与氧化剂的混合溶液将锡离子洗掉，形成相互分离的硅的片层结构，从而得到硅纳米片材料。本方法反应条件温和且反应时间短，无需氮气保护，需要的设备简单，操作便捷，有利于大量制备二维层状硅纳米片材料，可用于大规模的工业化生产。采用本方法制备的硅纳米片材料具有保留了大量的活性位点和表面官能团，表面官能团种类可调，比表面积增大，片层较薄等优点。