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一种基于单相机的microLED深度测量的装置

摘要

高精度的微米深度测量在许多领域都具有重要意义。目前已提出了许多测量球面深度的方法,但是它们中的很少一部分可以测量平面物体的深度,例如在亮度、能耗和相应速度方面有优势的μLED。深度测量是μLED转移印刷的关键技术之一。本发明提出了一种利用单摄像机对μLED阵列进行深度测量的方法。所述装置包括相机模块1、微操作台模块2和μLED阵列模块3。该方法采用高精密位移台进行了标定,评估了μLED的不确定因素,如相机畸变、相机倾斜、曲线拟合和表面粗糙度等。结果表明,本发明的相对标准不确定度约为3.9%。这表明所提出的系统是非常稳定且可重复的。

著录项

  • 公开/公告号CN114111621A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津工业大学;

    申请/专利号CN202111365858.4

  • 申请日2021-11-19

  • 分类号G01B11/22(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 300387 天津市西青区宾水西道399号

  • 入库时间 2023-06-19 14:20:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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