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公开/公告号CN114121081A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202110987400.6
发明设计人 何源;
申请日2021-08-26
分类号G11C11/4091(20060101);G11C11/4094(20060101);G11C11/4097(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 14:19:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
公开
发明专利申请公布
机译: 具有页面寄存器的3D存储设备不是感测放大器接口,例如布置在存储器阵列下方的感测放大器电路
机译: 感测放大器,包括感测放大器的非易失性存储器和感测放大器的感测方法
机译: 非易失性半导体存储器中的感测放大器电路,包括用于对感测节点处的电势进行升压的升压电容器
机译:聚合物随机存取存储器的有效单元阵列结构和感测放大器的正确单元感测
机译:一种新的基于差分放大器的抵消抵消感测放大器,用于按比例缩小的互补金属氧化物半导体技术提高高密度静态随机存取存储器的速度
机译:100%稳定的感测放大器的物理上不可渗透功能,具有单独嵌入的非易失性存储器
机译:FBC'在多Gbit存储器中的6F 2 sup>单电池操作的电池操作通过新开发的测量信号感测余量确认
机译:Yb:YAG主振荡器功率放大器和PPLN光学参量放大器,用于远程风感测。
机译:基于阵列的纳米颗粒感测:化学鼻子用于感测生物分子和细胞表面
机译:通过感测阵列温度从太阳能电池阵列传输的最大功率