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半导体装置中的气泡破裂寄存器

摘要

本申请涉及半导体装置中的气泡破裂寄存器。一种示范性寄存器电路,其包括多个时隙以存储相应的地址和数据对。在写操作期间,在被指示为空的多个时隙中的特定时隙之前的所述多个时隙中的每个时隙被移位一个时隙以填充所述特定时隙,使得所述多个时隙的第一端时隙可用于接收新的写地址和数据对。在所述特定时隙之后的所述多个时隙中的每个时隙保留现有的地址和数据对。

著录项

  • 公开/公告号CN114121112A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN202110979658.1

  • 发明设计人 何源;杨璞;

    申请日2021-08-25

  • 分类号G11C19/28(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王龙

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2023-06-19 14:19:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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