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公开/公告号CN114121112A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202110979658.1
发明设计人 何源;杨璞;
申请日2021-08-25
分类号G11C19/28(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 14:19:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
公开
发明专利申请公布
机译: 微气泡发生装置中的气泡破裂装置
机译: PIQ气泡控制中半导体装置中金属化的制造方法
机译: 形成用于防止外部环境中的保护膜破裂的半导体装置的方法
机译:流动聚焦装置中粘性液体中气泡形成的破裂动力学实验研究
机译:非流体流动聚焦装置中非牛顿流体中细长气泡的破裂动力学
机译:非流体微流体集中装置中非牛顿流体中细长气泡的破裂动力学
机译:文丘里装置中空化气泡破裂压力的测量
机译:Hele-Shaw流中的气泡破裂:可积性和矩阵模型。
机译:一种T形连接装置可同时显示两个正交视图:应用于气泡形成和破裂
机译:通过排水将颗粒富集在气泡上:测量和模拟破裂时气泡膜中微生物颗粒的浓度
机译:涡核中带有和没有障碍的轴对称涡破裂的气泡概念