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半导体电路制造厂房

摘要

本发明公开一种半导体电路制造厂房,该半导体电路制造厂房包括第一层超净间和第二层超净间;所述第二层超净间位于所述第一层超净间的上方,且所述第二层超净间与所述第一层超净间的洁净等级不同,所述第一层超净间与所述第二层超净间之间设置有自动升降装置,所述自动升降装置用于在所述第一层超净间与所述第二层超净间之间转运产品。本发明半导体电路制造厂房设计布局占地面积小,并且能够保证超净间的洁净度。

著录项

  • 公开/公告号CN114121743A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广东汇芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN202111281058.4

  • 发明设计人 冯宇翔;

    申请日2021-10-29

  • 分类号H01L21/677(20060101);E04H5/02(20060101);

  • 代理机构44426 深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人隆毅

  • 地址 528000 广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一

  • 入库时间 2023-06-19 14:19:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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