一种超导约瑟夫森结以及量子芯片的制备方法

摘要

本发明属于量子芯片技术领域，更具体地，涉及一种超导约瑟夫森结以及量子芯片的制备方法，包括：确定衬底上用于制备超导约瑟夫森结的第一区域，第一区域的形状与超导约瑟夫森结的轮廓形状一致；于第一区域上制备隔离层；于衬底上制备覆盖隔离层的图形层，且图形层上形成有与超导约瑟夫森结的轮廓形状一致的图形；以图形层为掩膜利用刻蚀介质刻蚀隔离层；以图形层为掩膜形成超导约瑟夫森结于第一区域。本发明提供的方案，有效解决图形层材料残留而影响到超导约瑟夫森结性能这一问题，保证了超导约瑟夫森结以及量子芯片的稳定性能。