具有竖直间隔开的沟道材料区段的集成组件和形成集成组件的方法

摘要

一些实施例包含一种具有交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠的NAND存储器阵列。所述导电层级包含控制栅极区。高k介电材料邻近所述控制栅极区，且被配置为彼此竖直间隔开的第一竖直延伸线性区段的布置。电荷阻挡材料邻近所述高k介电材料且被配置为彼此竖直间隔开的第二竖直延伸线性区段的布置。电荷存储材料邻近所述电荷阻挡材料且被配置为彼此竖直间隔开的第三竖直延伸线性区段的布置。栅极介电材料邻近所述电荷存储材料。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸，且邻近所述栅极介电材料。一些实施例包含集成组件以及形成集成组件的方法。