一种低应力MEMS器件制造方法及低应力MEMS器件

摘要

本发明涉及一种低应力MEMS器件制造方法及低应力MEMS器件，其方法是在衬底上形成至少三层致密性自下而上由高到底的氧化层作为牺牲介质层，并在现有干法刻蚀后，增加湿法刻蚀改变干法刻蚀所形成的电极材料沉积窗口的侧壁形貌，令其由陡直侧壁变为圆弧形侧壁，这样上电极材料层沉积后形成的电极填充部也为圆弧形结构，可以显著消除陡直结构造成的应力集中问题，有效延长MEMS器件的工作寿命。