法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-15
实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2021114632007 申请日:20211202
实质审查的生效
机译: 金属碳纳米管的破坏方法,半导体碳纳米管的集合体的制造方法,半导体碳纳米管的薄膜的制造方法,半导体碳纳米管的破坏方法,金属碳纳米管的集合体的制造方法,制造方法碳纳米管薄膜的制造,电子器件的制造方法,碳纳米管集合体的制造方法,半导体碳纳米管的选择性反应的方法
机译: 3使用碳纳米管的三极管电子发射器件,使用该碳纳米管制造相同的平板显示器的方法以及在阳极氧化铝模板中形成碳纳米管的方法
机译: 金属单壁碳纳米管的破坏性如何,半导体单壁碳纳米管组件的制造方法,半导体单壁碳纳米管薄膜的制造方法,半导体单壁碳纳米管的破坏性方法,金属单壁碳纤维纳米管集合体的制造方法,金属单壁碳纳米管薄膜的制造方法以及碳纳米管FET电子器件的制造方法