exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构及其制造方法，其中，封装结构包括内核、散热片和铜柱，所述铜柱与内核电连接，所述散热片位于QFN/LGA的封装后的底部且与内核贴合，所述铜柱由与内核电连接处延伸至QFN/LGA的封装后的顶部。制造方法包括：在QFN/LGA的散热片周边间隔布置铜柱，且铜柱向散热片外侧暴露面的相反方向延伸第一距离；将内核贴合在散热片的内侧；将内核与铜柱进行电连接；将散热片、内核和铜柱封装成一体；进行抛光处理，使得散热片与铜柱分别暴露在QFN/LGA封装后的底部和顶部。本发明的散热片与exposed lead不在同一面，可以原将PCB板的散热片区域节省下来，使PCB板小型化和集成化程度更高，让PCB板在大小不变的情况下实现更多的功能。