三维非挥发性存储单元器件结构及其制造方法

摘要

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种三维非挥发性存储单元器件结构及其制造方法。器件结构包括：在存储单元沟槽的两相对的侧壁上，形成选择管多晶硅栅；选择管多晶硅栅与存储单元沟槽表面之间被选择管氧化层间隔；在每个选择管多晶硅栅的侧壁上，分别形成源端多晶硅栅；源端多晶硅栅的底端与存储单元沟槽的底面接触，源端多晶硅栅之间形成隔离空间；隔离介质层填充满该隔离空间；选择管多晶硅栅、源端多晶硅栅和隔离介质层向上延伸外露出存储单元沟槽形成外露部；层间介质层覆盖在外露部的表面；在外露部两侧壁外侧的硅衬底上，形成存储管多晶硅栅；存储管多晶硅栅与位于外露部上的层间介质层之间，形成有电荷存储层。