一种应用于MPS二极管的外延片结构及MPS二极管

摘要

本发明属于半导体领域，提供了一种应用于MPS二极管的外延片结构及MPS二极管，外延片结构包括依序层叠设置的第一外延层、第二外延层以及第三外延层；其中第一外延层的掺杂浓度大于第二外延层的掺杂浓度，第二外延层的掺杂浓度大于第三外延层的掺杂浓度；且第三外延层与MPS二极管的阳极金属层接触，第一外延层与MPS二极管的阴极金属层接触；MPS二极管的漂移掺杂区设于第三外延层中，且与第二外延层和阳极金属层接触，在MPS二极管正向开启时，MPS二极管电阻率低，当反向开启时，第二外延层和第三外延层呈现高电阻状态，可降低阳极金属层下方的表面电场强度分布，解决了MPS的漏电流较大的问题。