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公开/公告号CN114073816A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-22
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社TODOC;
申请/专利号CN202110956711.6
发明设计人 旼奎植;申秀元;玄准于;金相佑;河允喜;崔光镇;
申请日2021-08-19
分类号A61N1/05(20060101);A61N1/36(20060101);A61N1/375(20060101);
代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;
代理人樊涛
地址 韩国首尔
入库时间 2023-06-19 14:15:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-11
实质审查的生效 IPC(主分类):A61N 1/05 专利申请号:2021109567116 申请日:20210819
实质审查的生效
机译: 用于生物监测的电极阵列和包括或利用该电极阵列的设备
机译: 电极阵列和身体可植入设备,包括相同的
机译: 植入式电极阵列组件,包括带有包装好的控制模块的载体
机译:除“有源罐”可植入式心脏复律除颤器外,比较皮下阵列电极与“有源罐”可植入式心脏复律除颤器和皮下阵列电极的除纤颤功效:acti结果
机译:微电极的微电极制造微孔阵列微孔阵列的微孔阵列
机译:用于微芯片设备的封装电极:用于信号增强的微阵列和镀铂电极
机译:使用阵列型球电极使用球形电极进行透镜阵列类型的放电加工创建球形镜头阵列创建处理。
机译:使用成像光纤束开发基于光学的阵列设备:光学镊子阵列,纳米级阵列和微电极阵列。
机译:用于Microchip设备的封装电极:用于信号增强的微阵列和镀铂电极
机译:如何在同一时间实现子蜂窝级空间分辨率和子峰值级时间分辨率在神经映射中仍然是技术挑战,而两个信息对于推进神经科学来说都很重要。这里,我们提出穿透阵列由单神经元级透明微电极组成,具有低阻抗涂层,其可以同时实现高空间和时间分辨率。这些32通道透明穿透电极具有记录小的部位面积,225μm²的低阻抗在1 kHz的〜149kΩ的低阻抗,充足的电荷注入极限为±0.76mc / cm2,率高达100%。机械弯曲试验结果显示高达1000个弯曲循环的强大机制。在用聚乙二醇进行临时变硬后,该电极实现了很大的插入结果,而无需任何屈曲或变形。这些结果共同建立了一种新型神经技术 - 穿透透明,灵活的双层圆形脉冲阵列,其具有巨大的大脑研究潜力
机译:化学修饰的微电极阵列。新型电子设备