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一种半导体纳米材料及其制备方法与应用

摘要

本申请公开了一种半导体纳米材料及其制备方法与应用。所述半导体纳米材料选自具有如式I所示化学式的物质中的任一种;MO·xMQ2O4式I;其中,所述M选自二价过渡金属元素中的任一种;所述Q选自VIII族元素中的任一种;所述x表示MQ2O4与MO含量的摩尔比,所述x的取值范围为1~2.5;所述半导体纳米材料为含有异型异质结的两相多晶结构。所述半导体纳米材料在紫外/可见/近红外区均有较强的光吸收,同时光电转化效率高,具有较好的光催化性能。

著录项

  • 公开/公告号CN114054025A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202111223279.6

  • 发明设计人 吴爱国;杜慧;杨方;李勇;

    申请日2021-10-20

  • 分类号B01J23/745(20060101);B01J23/80(20060101);B01J35/02(20060101);C01B13/02(20060101);A61N5/06(20060101);

  • 代理机构11540 北京元周律知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨晓云

  • 地址 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号

  • 入库时间 2023-06-19 14:14:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):B01J23/745 专利申请号:2021112232796 申请日:20211020

    实质审查的生效

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