法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R19/00 专利申请号:2020107868684 申请日:20200807
实质审查的生效
机译: 使用晶格匹配的A1合金前驱体形成高质量的AlO势垒,以用于基于隧道磁阻(TMR)的设备
机译: 基于隧道磁阻(TMR)元件的应变或压力传感器,其中磁致伸缩层设置在氧化物层的一侧,这样应变引起的各向异性会引起较大的电阻变化
机译: 基于温度波动调节通过磁阻隧道结(MTJ)的电流的方法和装置