首页> 外国专利> Use of lattice match A1 alloy precursors to form high quality A1O barrier for use within tunnelling-magneto-resistance (TMR) based devices

Use of lattice match A1 alloy precursors to form high quality A1O barrier for use within tunnelling-magneto-resistance (TMR) based devices

机译:使用晶格匹配的A1合金前驱体形成高质量的AlO势垒,以用于基于隧道磁阻(TMR)的设备

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号GB0229008D0

    专利类型

  • 公开/公告日2003-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SEAGATE TECHNOLOGY LLC;

    申请/专利号GB20020029008

  • 发明设计人

    申请日2002-12-12

  • 分类号

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-21 23:37:26

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