公开/公告号CN114068554A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-18
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202110856364.X
申请日2021-07-28
分类号H01L27/108(20060101);H01L21/8242(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 14:12:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/108 专利申请号:202110856364X 申请日:20210728
实质审查的生效
机译: 存储器单元,分别由一个电容器和一个晶体管组成的存储器单元阵列,该阵列包括存取线的行和数字线的列,一个2T-1C存储器单元以及上述形成电容器和存取晶体管的阵列的方法
机译: 一个记忆细胞,一个由电容器组成的记忆细胞阵列和一个由存取线和数字行列组成的晶体管的晶体管,一个2T-1C记忆细胞以及形成电容器和存取晶体管阵列的方法以上
机译: 存储器单元,分别由一个电容器和一个晶体管组成的存储器单元阵列,该阵列包括存取线的行和数字线的列,一个2T-1C存储器单元以及上述形成电容器和存取晶体管的阵列的方法