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气隙型薄膜体声波谐振器

摘要

公开了一种气隙型薄膜体声波谐振器(FBAR),包括:衬底,包括气隙部分,所述气隙部分具有衬底腔并且形成在顶部表面中;下电极,形成在所述衬底上方;压电层,形成在所述下电极上方;以及上电极,形成在所述压电层上方,并且其一侧的电极边缘被形成为与所述气隙部分的侧壁的垂直虚拟边界邻近。其中,所述压电层包括形成在所述电极边缘下方的压电腔。

著录项

  • 公开/公告号CN114070250A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津威盛电子有限公司;

    申请/专利号CN202110301636.X

  • 发明设计人 高庸熏;金炳宪;韩相瀷;

    申请日2021-03-22

  • 分类号H03H9/17(20060101);

  • 代理机构11323 北京市隆安律师事务所;

  • 代理人权鲜枝

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 14:12:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03H 9/17 专利申请号:202110301636X 申请日:20210322

    实质审查的生效

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