首页> 中国专利> 二氧化钛纳米管阵列膜及其制备方法、光电器件

二氧化钛纳米管阵列膜及其制备方法、光电器件

摘要

本申请属于材料技术领域,尤其涉及一种二氧化钛纳米管阵列膜及其制备方法,以及一种光电器件。二氧化钛纳米管阵列膜的制备方法,包括步骤:以钛金属片为工作电极,与对电极和电解液构建电解体系,进行第一次电解处理,去除工作电极表面生长的二氧化钛阵列后,进行第二次电解处理,在工作电极表面生长有二氧化钛纳米管阵列膜;进行第三次电解处理,在钛金属片与二氧化钛纳米管阵列膜之间形成二氧化钛层,分解二氧化钛层,得到二氧化钛纳米管阵列膜。本申请提供的制备方法,通过三次电解处理,提高了二氧化钛纳米管阵列膜的生长效率和质量,实现大尺寸阵列膜的制备,得到完整且大尺寸的二氧化钛纳米管阵列膜。

著录项

  • 公开/公告号CN114045544A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院深圳先进技术研究院;

    申请/专利号CN202111384508.2

  • 发明设计人 薛冬峰;陈昆峰;王志强;

    申请日2021-11-19

  • 分类号C25D11/26(20060101);

  • 代理机构44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人曹柳

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区深圳大学城学苑大道1068号

  • 入库时间 2023-06-19 14:12:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-15

    公开

    发明专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号