一种辐照加固的SiC超结MOS结构

摘要

本发明提供一种辐照加固的SiC超结MOS结构，从下至上依次为N+漏区，P柱和N柱交替排列，位于N+漏区的上表面；左侧P‑base区、右侧P‑base区、左侧N‑source区、右侧N‑source区位于所述P‑base5的上表面；左中右三个P柱在芯片内部连为一体，并与左侧P‑plus区、右侧P‑plus相连；栅氧位于所述左侧N‑source区部分区域、右侧N‑source区部分区域、左侧P‑base区的预设区部分区域、右侧P‑base区的预设区部分区域、部分N柱的上表面；多晶硅栅，位于栅氧与隔离氧之间，栅氧位于最上端。本发明具有较强的抗辐照能力，同时具有栅漏电容低、开关损耗低、短路能力强的特点。