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一种增强光模式空间限制的AlGaAs光波导制作方法

摘要

本发明公开了一种增强光模式空间限制的AlGaAs光波导制作方法,包括:S1,在GaAs衬底晶圆上生长AlGaAs外延层;S2,将AlGaAs外延层上法的粘附剂与临时载片进行键合;S3,通过刻蚀或腐蚀完全去除GaAs衬底;S4,在另一种材料的衬底晶圆上旋涂BCB并固化;S5,将AlGaAs外延层表面与BCB表面键合;S6,去除临时载片及粘附剂;S7,光刻并刻蚀出AlGaAs条形结构,完成AlGaAs光波导制作。本发明制作的AlGaAs光波导,具有更高的光模式空间限制作用,能有效缩小光模式尺寸,减小光传输损耗,降低波导弯曲半径。

著录项

  • 公开/公告号CN114035267A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202111331523.0

  • 发明设计人 牛斌;戴家赟;吴立枢;王飞;

    申请日2021-11-11

  • 分类号G02B6/10(20060101);G02B6/13(20060101);G02B6/136(20060101);

  • 代理机构32200 南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人施昊

  • 地址 210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号

  • 入库时间 2023-06-19 14:09:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/10 专利申请号:2021113315230 申请日:20211111

    实质审查的生效

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