公开/公告号CN114039042A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 惠州亿纬锂能股份有限公司;
申请/专利号CN202111287729.8
申请日2021-11-02
分类号H01M4/48(20100101);H01M4/36(20060101);H01M4/62(20060101);H01M10/0525(20100101);H01M10/42(20060101);
代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;
代理人王艳斋
地址 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风七路38号
入库时间 2023-06-19 14:09:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-11
公开
发明专利申请公布
机译: 多孔硅和纳米硅颗粒的制备方法及其在锂二次电池负极材料中的应用
机译: 高性能锂离子电池中的多孔膜硅负极材料及其制备方法
机译: 高性能锂离子电池中的多孔膜硅负极材料及其制备方法