一种高耐压的SOI CMOS射频开关

摘要

本发明涉及射频开关技术领域,公开了一种电容补偿式SOI CMOS射频开关，包括一个固定端和至少一个选择端，每个选择端与固定端之间构成一条通道，每条通道的主路径为M个级联的开关管，每条通道的开关管的栅极连接同一个控制电压，每个开关管的源极和漏极之间均连接有电阻，每条通道从固定端开始选取N个连续的开关管，N个连续的开关管的源极和漏极之间分别连接有电容，开关管的源极和漏极之间的电容与该开关管的漏极和源极之间的电阻并联，在实际使用时，N个连续的开关管的源极和漏极之间的电容可以使射频信号在关闭的通道上的开关管上均匀分布，保证关闭的通道上的开关管不会因为电压分布不均被击穿，进而提高整个射频开关的功率承载能力。