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一种基于双层银纳米结构的硅基SERS基底的制备方法

摘要

本发明属于纳米材料制备技术领域,特别涉及一种基于双层银纳米结构的硅基SERS基底的制备方法。本发明采用两步无电化学沉积技术,第一步在硅片表面沉积制备出均匀的单层银纳米粒子,第二步在单层银纳米粒子上再沉积制备出网状银纳米链,最终在硅片表面形成银纳米粒子和网状银纳米链的双层结构。与单层银纳米结构相比,双层银纳米结构形成更多“热点”区域,硅基SERS基底检测呈现出高灵敏度特征。本发明的制作成本低,具有无掩模、常温常压的制备特点,为新型硅基SERS基底的结构设计与制备提供了新的思路和有效的技术手段。

著录项

  • 公开/公告号CN114018897A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 云南省产品质量监督检验研究院;

    申请/专利号CN202111225732.7

  • 申请日2021-10-21

  • 分类号G01N21/65(20060101);

  • 代理机构53115 昆明今威专利商标代理有限公司;

  • 代理人周亚非

  • 地址 650223 云南省昆明市五华区教场东路23号

  • 入库时间 2023-06-19 14:08:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/65 专利申请号:2021112257327 申请日:20211021

    实质审查的生效

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