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一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器

摘要

本发明公开了一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器,属于光纤通信技术领域。该偏振旋转器包括:衬底;衬底的顶部设置有一段条形波导,形成偏振旋转区域;沿着入射光的传输方向,条形波导的其中一组对角上分别开有若干个第一凹槽和若干个第二凹槽,形成第一亚波长光栅和第二亚波长光栅;若干个第一凹槽和第二凹槽内均填充有二氧化硅。在本发明中,该偏振旋转器结构简单,易于片上集成,并且在300nm(1400nm‑1700nm)波长范围内,实现TE和TM两种输入偏振光之间的相互转化,对于入射光(TE/TM基模)在S‑到U‑波段范围内插入损耗小于0.5dB,同时偏振旋转效率高于91%。

著录项

  • 公开/公告号CN114019605A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安邮电大学;

    申请/专利号CN202111334523.6

  • 申请日2021-11-11

  • 分类号G02B6/126(20060101);G02B6/14(20060101);G02B6/124(20060101);

  • 代理机构61260 西安泛想力专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人石琳丹

  • 地址 710121 陕西省西安市长安区西长安街618号

  • 入库时间 2023-06-19 14:08:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-21

    授权

    发明专利权授予

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