一种去除硅片磷扩散后反行层的方法

摘要

本发明涉及一种去除硅片磷扩散后反行层的方法，属于硅片生产技术领域。本发明中采用碱液腐蚀替代原有的喷砂技术去除硅片表面的磷扩散反行层，碱液腐蚀可以有效减少去除过程中对硅片表面造成的机械损伤，避免缺角、破裂及暗伤现象的出现，并且在之后的硼扩步骤中增加扩散时间，以提高硼扩结深，提高产品品质。