一种TOPCon背面钝化接触结构的IBC太阳能电池结构及其制备方法

摘要

本发明提供了一种TOPCon背面钝化接触结构的IBC太阳能电池结构及其制备方法，其结构包括晶硅衬底，晶硅衬底的前表面从内到外包括正面掺杂层和正面钝化层，晶硅衬底的背表面从内到外分别包括隧穿氧化层、交替排列的n+掺杂非晶硅层/p+掺杂非晶硅层、激光开槽区、背面钝化层、负电极/正电极；本发明采用TOPCon背面接触钝化方式和异质结方式结合的电池结构，优化了掺杂非晶硅生长方式，在保留IBC高短路电流的特点下，提高太阳电池钝化能力和接触能力，同时有效地降低了制造成本；其次，通过优化金属正电极、负电极，通过缩窄主栅线宽，增加pad点，可降低浆料的耗量，正极pad与负极pad图形不同进行区分，便于组件焊接时进行区分，减少组件焊接出现错误的概率。