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一种光域非线性失真补偿的硅基调制器芯片及其非线性失真补偿方法

摘要

本发明公开了一种光域非线性失真补偿的硅基调制器芯片及其非线性失真补偿方法。该硅光芯片包含一个分光比可调的1×2光功分器,一个Si‑MZM和一个Si‑MRM。将Si‑MZM和Si‑MRM的工作点分别设置在正交工作点和三阶交调非线性最大点,并保证两个工作点的相位相差π。输入光信号经光功分器分成两路并输入到对应的两个调制器中,由射频放大器引入的失真调制电信号通过分配比可调的电功分器分成两路并分别调制对应的硅基调制器。调控光功分比和电功分比,用Si‑MRM产生的三阶非线性来用补偿Si‑MZM的非线性,最后在接收端经平衡探测器解调。该硅基调制器芯片可以抑制由射频放大器和硅基调制器共同产生的二阶和三阶非线性。

著录项

  • 公开/公告号CN114024612A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 之江实验室;

    申请/专利号CN202111348392.7

  • 发明设计人 张强;余辉;

    申请日2021-11-15

  • 分类号H04B10/2543(20130101);H04B10/564(20130101);H04B10/58(20130101);G02B6/293(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人郑海峰

  • 地址 310023 浙江省杭州市余杭区文一西路1818号人工智能小镇10号楼

  • 入库时间 2023-06-19 14:06:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-08

    公开

    发明专利申请公布

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