用于红外检测的半导体器件、制造用于红外检测的半导体器件的方法及红外检测器

摘要

一种用于红外检测的半导体器件，其包括第一半导体层(1)、第二半导体层(2)和光学耦合层(3)的堆叠。第一半导体层(1)具有第一类型的导电性并且第二半导体层(2)具有第二类型的导电性。光学耦合层(3)包括光学耦合器(31)和至少第一横向吸收体区域(32)。光学耦合器(31)被配置为使入射光朝向第一横向吸收体区域(32)偏转。第一横向吸收体区域(32)包括带隙Eg在红外IR中的吸收体材料。