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光吸收层及其制造方法、光电转换元件和中间带型太阳能电池

摘要

本发明提供用于形成两阶段光吸收的量子产率优异的光电转换元件和中间带型太阳能电池的光吸收层、具有该光吸收层的光电转换元件和中间带型太阳能电池。并且,本发明提供一种具有中间带且空隙较少的光吸收层的制造方法。本发明的光吸收层在具有2.0eV以上3.0eV以下的带隙能的块状半导体的基体中分散有量子点,且该光吸收层具有中间带,且空隙率为10%以下。

著录项

  • 公开/公告号CN114026710A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 花王株式会社;

    申请/专利号CN202080047893.9

  • 发明设计人 小此木明德;细川浩司;泽田拓也;

    申请日2020-06-29

  • 分类号H01L51/42(20060101);H01L51/48(20060101);

  • 代理机构11322 北京尚诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳;王磊

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 14:06:32

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