含金属层Z切薄膜铌酸锂材料结构

摘要

本发明公开了一种含金属层Z切薄膜铌酸锂材料结构，该材料结构自下到上依次包括：衬底、金属层、缓冲层、Z切铌酸锂薄膜，满足Z切薄膜铌酸锂集成电光调控芯片制造需求。本发明在铌酸锂薄膜和衬底之间直接加入金属层，在电光调控结构应用中，金属层可直接作为一个电极层置于薄膜铌酸锂光波导正下方，与置于薄膜铌酸锂光波导正上方电极构建电场，对夹在上下电极中间的薄膜铌酸锂光波导进行电光调控，调控电极间距不受限于工艺精度，切电光重叠因子比传统结构更高，电光调控效率更高。