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硅基集成的外腔窄线宽激光器

摘要

本公开提供了一种硅基集成的外腔窄线宽激光器,包括:硅衬底,上表面为外延生长区;增益芯片,通过异质外延或异质键合于外延生长区的一端;多模干涉波导结构,外延生长于外延生长区内,输入端与增益芯片的反馈光端面相对;反射结构,设于外延生长区的一端,与多模干涉波导结构的输出端耦合。该激光器不仅可以实现单模选择,由于多模干涉波导结构3的端面形成的外腔结构,还可以实现线宽压窄。

著录项

  • 公开/公告号CN114006263A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN202111268114.0

  • 申请日2021-10-28

  • 分类号H01S5/14(20060101);H01S5/20(20060101);H01S5/028(20060101);H01S5/065(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人王文思

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-06-19 14:05:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-01

    公开

    发明专利申请公布

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