638nm光栅外腔窄线宽半导体激光器

摘要

本文采用反射式全息光栅作为外部反馈元件,设计了638 nm光栅外腔窄线宽激光器.使用高分辨率的光谱分析仪检测了Littrow结构的外腔半导体激光器的输出光谱,并进一步研究了该激光器的阈值和波长调谐特性.实验采用了24001/mm和18001/mm两种刻线密度的反射式全息光栅进行研究,在120 mA的注入电流下,采用刻线密度为24001/mm的光栅外腔激光器的输出功率是45.2 mW,将阈值电流由60 mA降至51mA,下降幅度为11％;采用刻线密度为18001/mm的光栅外腔激光器的输出功率是38.7 mW,将阈值电流由60 mA降至47 mA,下降幅度为24％,光谱线宽均压窄至3.5 pm,且分别了实现了9.4 nm和10.5 nm宽度的波长调谐.实验结果表明,采用反射式全息光栅的Littrow结构用于半导体激光器,极大地改善了半导体激光器的性能.