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一种抗直流纳米晶双磁芯电流互感器磁芯及其制备方法

摘要

本发明提供了一种抗直流纳米晶双磁芯电流互感器磁芯及其制备方法,所述抗直流纳米晶双磁芯电流互感器磁芯包括第一纳米晶磁芯、第二纳米晶磁芯以及环状的封装外壳;所述第一纳米晶磁芯套装在第二纳米晶磁芯的外侧,且第一纳米晶磁芯和第二纳米晶磁芯同轴设置。所述抗直流纳米晶双磁芯电流互感器磁芯的制备方法包括如下步骤:将第一纳米晶磁芯和第二纳米晶磁芯依次安装到封装外壳的内部后得到所述抗直流纳米晶双磁芯电流互感器磁芯。本发明提供的抗直流纳米晶双磁芯电流互感器磁芯中包含有两只纳米晶磁芯,磁芯稳定性优异,线性度较好,灵敏度较高,磁导率的调整范围较大;此外,本发明提供的制备方法简单,加工成本低。

著录项

  • 公开/公告号CN113990604A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 横店集团东磁股份有限公司;

    申请/专利号CN202111240282.9

  • 发明设计人 王小云;金天明;

    申请日2021-10-25

  • 分类号H01F27/02(20060101);H01F27/25(20060101);H01F27/26(20060101);H01F38/30(20060101);H01F41/00(20060101);H01F41/02(20060101);

  • 代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;

  • 代理人刘二艳

  • 地址 322118 浙江省金华市东阳市横店镇工业区

  • 入库时间 2023-06-19 14:01:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-31

    授权

    发明专利权授予

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